效率下降是阻礙GaN基在高電流密度這一重要的新興應(yīng)用領(lǐng)域大施拳腳的主要原因。但RPI的研究職員表示，通過采用極性匹配的外延結(jié)構(gòu)可以克服這一缺點。
LED制造商們目前非常關(guān)注一些新的市場，例如汽車前燈、大屏幕顯示和普通。從某種程度上說，降低價格能幫助LED打進這些領(lǐng)域，但僅僅如此還不夠。LED的芯片還需要在大驅(qū)動電流下也能實現(xiàn)高功效。這也意味著需要解決功率下降這一廣受關(guān)注的題目。
通過比較電和光激發(fā)LED的輸出情況，可以幫助RPI的相關(guān)研究職員研究GaN基器件功率下降的原因。
功率下降具體來說是指藍光、綠光和在電流增大時效率反而下降的現(xiàn)象。GaN基LED通常僅在電流密度10A cm-2時效率達到峰值，電流密度為100A cm-2時效率降為峰值的一半。這引起了大家的關(guān)注，當(dāng)今的高亮度芯片都需要在比10A cm-2大得多的電流密度下高效地工作。
攻克這一困難顯然非常重要，而且它已經(jīng)吸引了全球產(chǎn)業(yè)界和學(xué)術(shù)界大批研究職員的愛好，其中也包括我們位于紐約州特洛伊市倫斯勒理工學(xué)院的研究團隊，我們在過往的幾年里一直在探索效率下降這一題目的根源。我們相信我們能找到癥結(jié)所在，并通過完全不同的LED設(shè)計克服這一題目。
我們與位于新墨西哥州Sandia國家實驗室的Mary Crawford研究小組合作，一起研究功率下降題目的成因。我們關(guān)注位錯密度對于LED效率的影響，發(fā)現(xiàn)位錯會降低低電流密度時的效率，但并不影響高電流密度下的效率降低題目。
在低電流密度時，載流子通常在一個陷阱輔助的過程（即SRH復(fù)合）中損失掉了，而且會隨著位錯密度的增加變得更加嚴重。通過增強自發(fā)輻射，加大電流密度起初會進步效率，但隨著電流的進一步增加，另一個與之抗衡的載流子損耗機制會引發(fā)效率的下降。
漏電的LED
我們還與韓國三星電機公司合作。這一努力終于讓我們找到了效率下降的原因——由于量子勢阱層、量子勢壘層和電子阻擋層之間的極性失配導(dǎo)致的有源層電子泄漏。
我們的解釋能說明為什么高電流密度時效率下降的主要原因——當(dāng)進步驅(qū)動電壓時，會導(dǎo)致更多注進的電子逃出有源層，抵達LED的p型區(qū)，從而與p電極處的空*寧波信息網(wǎng)www.c3618.cn**進行非輻射復(fù)合（圖2）。
通過比較LED器件在電偏壓和光激發(fā)時的光輸出（詳見“探索LED的結(jié)構(gòu)”），該理論已通過實驗得到了驗證。我們在使用數(shù)值模擬工具將載流子泄漏與極性失配聯(lián)系起來之前，就曾表明在量子阱外也有復(fù)合機制發(fā)生。
界面題目
我們的精力主要集中于在GaN傳統(tǒng)的晶面—c面上生長LED。這些器件通常有很強的內(nèi)建電場，在界面處會產(chǎn)生相當(dāng)強的表面電荷（詳見“感受內(nèi)部的力”）。
圖1a. 對面積為1mm×1mm的傳統(tǒng)GaInN 進行丈量，揭示了在驅(qū)動電流大于10mA時輸出效率會降低。假如能完全避免引起效率下降的機制，LED芯片的效率則會隨著電流的增加而不斷增加。
圖1b.非輻射機制在低驅(qū)動電流時占主導(dǎo)地位，隨著電流增加讓位于輻射復(fù)合，之后效率反而下降。
界面表面電荷會從兩個方面阻礙LED的性能。它們會進步電子注進多量子阱區(qū)的勢壘，同時降低來自量子阱和電流阻擋層上電子泄漏的勢壘。
我們的模擬支持了這一假設(shè)，表面電荷通過電子的泄漏降低LED的性能，這也說明減少表面電荷可以緩解載流子的損失。計算同時表明缺乏對p型結(jié)構(gòu)的重摻雜會加劇效率的下降，尤其是在電子阻擋層。
眾所周知，與雙極結(jié)型晶體管的基極相比，發(fā)射極的重摻雜能阻止少數(shù)載流子注進發(fā)射極。而在LED中，GaN和AlGaN層p型摻雜濃度低，阻礙了空***（p型區(qū)中空***為多數(shù)載流子）注進有源區(qū)——這反過來加劇了電子的泄漏。
我們對電子泄漏造成LED效率下降的解釋還并未得到廣泛接受；事實上，還有研究者提出了幾種不同的機制。其中以Philips Lumileds研究職員提出的俄歇復(fù)公道論（Shen et al. 2007）為主流。
在c面GaInN/GaN雙異質(zhì)結(jié)上進行了若干光致發(fā)光的試驗，觀察到高光激發(fā)密度時效率亦出現(xiàn)了下降。使用速率模型分析使得他們將俄歇復(fù)合當(dāng)作是多量子阱LED效率降低的原因。
為此他們引進了有效復(fù)合厚度的概念，在設(shè)計雙異質(zhì)結(jié)時選定的物理厚度更小，由于量子阱中電子和空***較小的重疊。
[1]
將該復(fù)合厚度代進速率方程，得出量子阱在有電場時的自發(fā)輻射速率比無電場時的更高。但這與GaN量子阱中電場減弱自發(fā)輻射的事實相反。因此，我們感覺Lumileds高估了多量子阱LED中俄歇復(fù)合在大電流密度時的重要性。
布丁好不好吃，當(dāng)然嘗過了才知道。最后將我們的模擬結(jié)果付諸實施，生長帶有AlGaInN勢壘層的LED。用AlGaInN層替換傳統(tǒng)的GaN勢壘層和AlGaN電子平衡機http://www.clphj.cn/pinghengji/阻擋層，使得我們能自由的調(diào)節(jié)帶隙寬度和極性，并終極減少極性失配和有源區(qū)界面間的表層電荷。
圖2. RPI的研究職員以為，電子逃逸是造成LED效率下降的主要原因。這些逃出的載流子與p型GaN區(qū)或p電極處的空***進行非輻射復(fù)合。
圖3.具有量子勢阱和勢壘極性匹配的LED通過減少電子泄漏，在大驅(qū)動電流下仍能表現(xiàn)出優(yōu)異的性能。
對于量子勢壘，我們將生長一種與GaN同樣帶隙寬度的四元化合物，并且能與典型量子阱的極性相匹配。這是一項十分艱巨的任務(wù)，由于生長高銦組分和高鋁組分的AlGaInN層是非常困難的。但通過減少極性的不平衡，能明顯地進步器件的性能。這也同樣適用于電子阻擋層。
我們的模擬顯示，對極性匹配做一下調(diào)整就能獲得幾乎所有的好處，而使用勢壘和勢阱只能減少一半的極性失配。關(guān)鍵點是將勢壘的帶隙寬度略微減小，就能在有源區(qū)內(nèi)形成附加的載流子約束。
進步能效
這些調(diào)整已經(jīng)帶來一些令人鼓舞的結(jié)果。由于減緩了效率的下降，在大電流時光輸出進步了20%（圖3）。由于降低了載流子注進量子阱區(qū)的勢壘的高度，正向電壓也相應(yīng)的降低了。減少量子阱區(qū)表面電荷的另一個好處是將總能效進步25%。調(diào)整還帶來其它好處，由于量子阱內(nèi)的電場強度更低，減少了波長隨電流變化而產(chǎn)生的漂移。
很明顯，人們對效率下降題目的愛好在不斷增加，這本身對LED的發(fā)展有益。我們加深了對它的了解，現(xiàn)有的設(shè)計看上往能解決這個題目。具有上述特性的貿(mào)易器件就應(yīng)該積極籌備開拓新的市場，直指終縱目標——替換通用照明燈泡。
[2]
探索LED的結(jié)構(gòu)
通過比較光激發(fā)和電偏壓時光的輸出，倫斯勒理工學(xué)院的研究職員研究GaInN藍光LED中效率下降的題目。上述比較是以電子和空***的產(chǎn)生速率是相同的為條件，結(jié)果顯示效率下降是由于載流子輸運引起的。
在穩(wěn)態(tài)光激發(fā)的條件下，不應(yīng)該存在例外的逃逸電子或空***。假如發(fā)生了，就會損失一種載流子——這意味著在量子阱內(nèi)形成了電場分布，產(chǎn)生額外的載流子泄漏。電子或空***自發(fā)的逃逸也不太可能，由于空***被嚴格的約束在勢阱內(nèi)。
無論如何，部分載流子確實從勢阱中逃逸出來了。使用405nm激光轟擊這一結(jié)構(gòu)，會產(chǎn)生非零的開路電壓。這是由于器件的正向偏置電壓需要反向電流來補償。凈電流仍為零，這是任何一個沒有接進外部電路的器件都必須遵守的。
正向偏置改變了LED的載流子輸運?？?**和電子對量子阱的注進和逃逸速率會發(fā)生變化，往往會導(dǎo)致電子從勢阱中泄漏出往。這需要LED在光激發(fā)和電偏置兩種情況下不同的光輸出效率來證實。RPI進行的丈量證實了這一點。在電泵浦的器件中觀察到了效率的下降，但在光激發(fā)的情況下卻沒有。這意味著某種形式的載流子復(fù)合機制在量子阱外的區(qū)域發(fā)生，造成了效率的下降。
感受內(nèi)部的力
GaN具有纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)，并在c晶向上存在極化電場。當(dāng)LED生長在這個晶向上時，由于各相鄰層間在自發(fā)極化和應(yīng)變誘發(fā)的壓電極化兩方面存在差異，會在界面間產(chǎn)生較大的表面電荷。通過減少有源區(qū)的電子束縛以及增加有源區(qū)的電子泄漏，這些電荷會降低LED的效率。
在傳統(tǒng)的藍光LED中，GaN勢壘圍繞在GaInN量子阱的兩側(cè)，勢阱的n型區(qū)一側(cè)表面電荷為負。這些電荷會排斥電子，并阻礙電子注進。勢阱的p型區(qū)一側(cè)表面電荷為正，會吸收電子，增加電子逃逸的可能性（圖a）。
AlGaN電子阻擋層具有相反的效果。它們會在n型區(qū)一側(cè)產(chǎn)生正電荷，使得電子更輕易跨越勢壘（圖b）。通過進步Al組分來增加電子阻擋層的帶隙寬度并不是一個很好的解決辦法，原因是表面電荷也會同時增加。
發(fā)光效果取決于接觸面
一個美國團隊將光致發(fā)光強度（PLI）作為電容-電壓（CV）光譜分析法的輔助技術(shù)，用以決定III-V族材料與電介質(zhì)之間的界面質(zhì)量。
這些界面嚴重影響著III-V族MOSFET的性能，作為一種可能拓展摩爾定律的器件，了解它的性能極其重要。CV光譜分析法因其復(fù)雜性一般廣泛用于丈量界面態(tài)密度。
Matthias Passlack曾是前任飛思卡爾在德研究職員，現(xiàn)在正與英國格拉斯哥大學(xué)展開合作。他表示，“很不幸，CV或許被普遍誤解為非硅半導(dǎo)體的相關(guān)技術(shù)。相反，PLI數(shù)字通譯更加直截了當(dāng)一些”，這是由于激光激發(fā)是丈量過程中唯一的可變量。
利用PLI丈量法得到了大量有關(guān)界面態(tài)密度的實驗數(shù)據(jù)。很顯然，這種分析界面質(zhì)量的方法并不新鮮。早在上個世紀90年代日本北海道大學(xué)的Hasegawa小組就用該項技術(shù)做過實驗；而Passlack也于1994-1995年間在貝爾實驗室建立了一些初步的PLI，并于1996-1997年間在摩托羅拉構(gòu)建了當(dāng)前的器件結(jié)構(gòu)。
Passlack最近發(fā)表的論文對一門更為復(fù)雜的學(xué)科略有陳述，里面對基于GaAs的22種材料展開了研究，包括GdGaO、In2O3和Ga2O3電介質(zhì)；其中Ga2O3是唯一適適用作器件級界面的電介質(zhì)。Passlack想用PLI來分析InGaAs MOSFET，并為格拉斯哥大學(xué)的Iain Thayne小組提供幫助，為他們建立一個能實現(xiàn)此項丈量的實驗裝置。
[3]
